NS系列國產(chǎn)臺階儀以亞埃級分辨率檢測抗蝕劑材料，一站式解決批量檢測效率低、數(shù)據(jù)偏差大、適配性不足等行業(yè)痛點。主要在材料研發(fā)、工藝優(yōu)化與質(zhì)量管控中，測量臺階高度（納米至1050μm）、表面粗糙度（Ra、Rz等參數(shù)）、膜層厚度及應力分布，為嚴苛檢測標準提供硬核數(shù)據(jù)支撐。

一、核心功能（針對抗蝕劑測量場景）

1.精準參數(shù)測量，覆蓋工藝全流程

（1）抗蝕劑臺階高度：精準測量納米至1050μm范圍的臺階高度，量化光刻膠涂覆厚度、顯影后殘留高度、蝕刻后臺階落差，保障電路圖案轉(zhuǎn)移精度。

（2）表面粗糙度輔助分析：同步獲取Ra、Rz等數(shù)十項粗糙度參數(shù)，評估抗蝕劑表面均勻性，避免因表面缺陷影響后續(xù)工藝效果。

（3）多維度數(shù)據(jù)互補：可選配應力測量功能，輔助分析抗蝕劑涂覆后的表面應力分布，為工藝優(yōu)化提供全面數(shù)據(jù)。

2.智能測量模式，適配不同檢測場景

（1）單區(qū)域快速檢測：針對研發(fā)樣品、小批量測試件，影像導航定位后一鍵啟動，快速完成單點精準測量，縮短研發(fā)周期。

（2）多區(qū)域批量檢測：針對量產(chǎn)芯片，按橫向/縱向距離陣列設(shè)置掃描路徑，一鍵完成整批樣品多點位檢測，減少重復操作。

（3）3D可視化呈現(xiàn)：自動完成抗蝕劑表面掃描與3D圖像重建，細微臺階結(jié)構(gòu)直觀可溯，便于排查工藝異常。

（4）SPC統(tǒng)計分析：生成批量檢測數(shù)據(jù)趨勢圖表，支持質(zhì)量追溯與工藝偏差預警，助力穩(wěn)定量產(chǎn)良率。

二、核心應用場景（聚焦半導體核心工藝）

1.半導體芯片制造：光刻膠涂覆厚度檢測、顯影后臺階高度分析、蝕刻工藝臺階落差測量、CMP后抗蝕劑殘留高度管控。

2.封裝工藝：封裝過程中抗蝕劑輔助層臺階高度檢測，保障封裝精度。

3.MEMS器件制造：MEMS結(jié)構(gòu)中抗蝕劑犧牲層臺階高度測量，支撐微型器件研發(fā)與量產(chǎn)。

4.科研與高校：光刻工藝研發(fā)、新型抗蝕劑材料性能測試，提供精準數(shù)據(jù)支撐。

三、部分技術(shù)參數(shù)

技術(shù)測量：探針式表面輪廓測量技術(shù)

樣品觀測：光學導航攝像頭：500萬像素高分辨率 彩色攝像機，F(xiàn)oV，1700*1400μm

平臺移動范圍X/Y：電動X/Y（100mm*100mm）（可手動校平）

樣品厚度：50mm

載物臺晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

臺階高度重復性：＜1nm（測量1μm臺階高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時）

儀器尺寸: 640*626*534(mm)

儀器總重量：<50kg

如需了解NS系列國產(chǎn)臺階儀產(chǎn)品詳細參數(shù)、申請樣品測試，或針對您的光刻工藝定制專屬檢測方案，歡迎隨時聯(lián)系中圖儀器。

（注：產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級實時更新，具體以新標準為準，詳情可咨詢客服獲取完整資料。）