晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數(shù)反映了半導(dǎo)體晶圓的平面度和厚度均勻性，對(duì)于芯片制造過(guò)程中的多個(gè)關(guān)鍵工藝質(zhì)量有直接影響。

TTV、BOW、WARP對(duì)晶圓制造工藝的影響

?對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光工藝的影響：拋光不均勻，可能會(huì)導(dǎo)致CMP過(guò)程中的不均勻拋光，從而造成表面粗糙和殘留應(yīng)力。

?對(duì)薄膜沉積工藝的影響：凸凹不平的晶圓在沉積過(guò)程中會(huì)導(dǎo)致沉積薄膜厚度的不均勻，影響隨后的光刻和蝕刻過(guò)程中創(chuàng)建電路圖案的精度。

?對(duì)光刻工藝的影響：影響聚焦；不平整的晶圓，在光刻過(guò)程中，會(huì)導(dǎo)致光刻焦點(diǎn)深度變化，從而影響光刻圖案的質(zhì)量。

?對(duì)晶圓裝載工藝的影響：在自動(dòng)裝載過(guò)程中，凸凹的晶圓容易損壞。如碳化硅襯底加工過(guò)程中，一般還會(huì)在切割工藝時(shí)留有余量，以便在后續(xù)研磨拋光過(guò)程中減小TTV、BOW、Warp的數(shù)值。

TTV、BOW、Warp的區(qū)別

TTV描述晶圓的厚度變化，不量測(cè)晶圓的彎曲或翹曲；BOW度量晶圓彎曲程度，主要度量考慮中心點(diǎn)與邊緣的彎曲；Warp更全面，度量整個(gè)晶圓表面的彎曲和翹曲。盡管這三個(gè)參數(shù)都與晶圓的幾何特性有關(guān)，但量測(cè)的關(guān)注點(diǎn)各有不同，對(duì)半導(dǎo)體制程和晶圓處理的影響也有所區(qū)別。

WD4000系列晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)功能及應(yīng)用方向

WD4000晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)可自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、彎曲度、翹曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等參數(shù)。該系統(tǒng)可用于測(cè)量不同大小、不同材料、不同厚度晶圓的幾何參數(shù);晶圓材質(zhì)如碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等。它是以下測(cè)量技術(shù)的組合：

1.光譜共焦技術(shù)測(cè)量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數(shù)，同時(shí)生成Mapping圖； 

2.三維輪廓測(cè)量技術(shù)：對(duì)Wafer表面進(jìn)行光學(xué)掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像，高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測(cè)量鐳射槽深寬等形貌參數(shù)；

3.白光干涉光譜分析儀，可通過(guò)數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算，以亞納米分辨率測(cè)量晶圓表面的局部高度，并實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能；

4.紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計(jì)算出兩表面間的距離（即厚度），適用于測(cè)量外延片、鍵合晶圓幾何參數(shù)。

5.CCD定位巡航功能，具備Mark定位，及圖案晶圓避障功能。

WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設(shè)備、晶圓拋光設(shè)備、及封裝減薄工藝段的量測(cè)；覆蓋半導(dǎo)體前道、中道、后道整條工藝線。該系統(tǒng)不僅廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，在3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業(yè)也大幅鋪開(kāi)應(yīng)用。

量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)上下料，自動(dòng)測(cè)量

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